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東莞市鼎偉新材料有限公司專業(yè)生產(chǎn)：鎳釩合金靶、高純鉻靶、鈦鋁靶、鉻鋁靶、鎳鉻合金靶、鎢鈦合金靶材等；公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名電子、太陽能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性價(jià)比，成功發(fā)替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好評(píng)。

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客戶案例

高純鉻靶的發(fā)展前景

時(shí)間：2021-04-16瀏覽數(shù)：1966

高純鉻靶的目標(biāo)晶粒尺寸和分布：通常，目標(biāo)材料具有多晶結(jié)構(gòu)，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數(shù)量級(jí)上。對(duì)于相同組成的靶材，細(xì)顆粒靶材的濺射速率比粗顆粒高純鉻靶的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。通過真空熔融法制造的靶材可以確保塊內(nèi)沒有孔，但是通過粉末冶金法制造的高純鉻靶很可能包含一定數(shù)量的孔。孔的存在會(huì)在濺射過程中引起異常放電，從而產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒。此外，由于其密度低，在操作，運(yùn)輸，安裝和操作過程中，帶有孔的目標(biāo)很容易破碎。

目標(biāo)處理流程：集成電路制造用濺射靶的加工工藝主要包括熔煉，均質(zhì)化，壓力加工，機(jī)械加工等工藝。在嚴(yán)格控制靶材純度的基礎(chǔ)上，鉻靶、鈮靶、鈦鋁靶通過優(yōu)化壓力處理工藝，熱處理?xiàng)l件和機(jī)械加工條件，調(diào)整靶材的晶粒取向和晶粒尺寸，滿足濺射工藝要求。

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